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불평형 마그네트론(UBM) 스퍼터링 방법으로 형성된 질소 농도가 10.9 at% 미만인 질소 도핑 나노카본막 전극을 연구하였다.질소 도핑된 UBM 스퍼터링 나노카본 필름(N-UBM 필름)의 sp(3) 함량은 질소 농도가 증가함에 따라 약간 증가합니다.질소 함유 흑연 유사 결합은 감소하고 피리딘 유사 결합은 질소 농도가 증가함에 따라 증가합니다.N-UBM 필름은 질소 농도와 거의 무관한 0.1~0.3nm의 평균 거칠기로 매우 매끄러운 표면을 가지고 있습니다.N-UBM 필름 전극은 sp(3) 함량이 약간 증가하기 때문에 순수한 UBM 필름 전극(3.9V)보다 더 넓은 전위 창(4.1V)을 나타냅니다.질소 농도가 증가함에 따라 전기 촉매 활성이 증가하여 질소 농도가 약 10.9 at%일 때 전기 활성이 최대임을 시사하며 Fe(CN)6(4-)의 피크 분리로 확인됩니다.N-UBM 박막 전극에서 과산화수소(H2O2) 환원 전위는 약 0.1V 이동했고, H2O2의 피크 전류는 약 4배 증가했다.